2Т862Б

Регулярно приобретаем транзисторы 2Т862Б из сверхнормативных запасов организаций, сверхнормативных остатков организаций и предприятий, резервов.

2Т862Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, КТ862Б, КТ862В, КТ862Г выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами, транзистор 2Т862А - в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 6 г, в металлическом - не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т862Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 20 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2,5 мА (300В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 12... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс

Все ваши предложения просьба отправлять на электронный адрес.
В ваших предложениях, просим, указывайте: наличие фабричной упаковки, условия хранения и производителя.