2П306Б

Закупаем транзисторы типа 2П306Б из невостребованных активов промышленного назначения, сверхнормативных остатков.

2П306Б
Транзисторы 2П306Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П306Б:
Структура транзистора: с двумя изолированными затворами и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 4 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,005 мА
S - Крутизна характеристики: 4... 80 мА/В
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,07 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 200 МГц
fр - рабочая частота транзистора: 800 МГц

Предложения просим направлять по контактам.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения товара, производителя товара и маркировку товара.