2П312А

Приобретем транзисторы серии 2П312А - любое количество из невостребованных активов промышленного назначения, складских неликвидов, сверхнормативных резервов промышленного назначения.

2П312А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б, КП312А, КП312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
2П312А - одной желтой,
2П312Б - одной синей,
КП312А - двумя желтыми,
КП312Б - двумя синими.
Транзисторы 2П312А-5, 2П312Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Транзисторы 2П312А-6, 2П312Б-6 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками на подложке без выводов.
На 2П312А-6 наносится синяя маркировочная точка, на 2П312Б-6 - белая.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в меаллокерамическом корпусе не более 0,2 г, кристалла не более 0,0003 г, кристалла на подложке не более 0,008 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П312А:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА
S - Крутизна характеристики: 4... 5,8 мА/В (15В)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ
Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц

Все предложения просьба отправлять на электронную почту.
В ваших предложениях указывайте: состояние транзисторов, условия хранения, производителя, дата выпуска изделий и объем предлагаемой партии.