2Т326А

Срочно покупаем транзисторы типа 2Т326А - ваше количество из невостребованного имущества предприятий и организаций, складских резервов промышленного назначения.

2Т326А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
редназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами КТ326АМ, КТ326БМ - в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
На пластмассовом корпусе наносится условная маркировка цветной точкой со стороны коллектора:
КТ326АМ — розовой
КТ326БМ — желтой.
Масса транзистора не более 0,5 г в металлическом корпусе и не более 0,3 г в пластмассовом корпусе.
Основные технические характеристики транзистора 2Т326А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (100 кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 70
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 450 пс

Все предложения просьба отправлять по контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, отображайте: состояние транзисторов серии 2Т326А, маркировку деталей, год выпуска и фирму производителя.