2Т602Б

Приобретаем транзисторы 2Т602Б из производственных остатков, складских резервов промышленного назначения, складских неликвидов.

2Т602Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы:
- 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами,
- 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ - не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т602Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс

Предложения просьба отправлять на email.
В своих предложениях, просим, уточняйте: производителя транзисторов, наличие фабричной упаковки и условия хранения товара.