2Т610Б

Приобретаем транзисторы типа 2Т610Б из сверхнормативных запасов, производственных неликвидов промышленного назначения.

2Т610Б
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т610Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (26В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс

Все предложения просим отправлять на нашу электронную почту.
В предложениях указывайте: количество, условия хранения деталей и состояние.