2Т629АМ-2

Выкупаем транзисторы 2Т629АМ-2 из складских остатков, складских неликвидов, сверхнормативных запасов организаций и предприятий.

2Т629АМ-2
Транзисторы 2Т629АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе 2Т629А-2, КТ629А-2, КТ629Б-2 и металлическом кристаллодержателе КТ629АМ-2, КТ629БМ-2 с защитным покрытием с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т629АМ-2:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (50В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 90 пс

Все предложения просим направлять на email.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: маркировку, год выпуска товара, есть ли заводская упаковка у транзисторов и производителя.