2Т630В

Закупаем транзисторы типа 2Т630В из неликвидов промышленного назначения, резервов предприятий и организаций, сверхнормативных запасов.

2Т630В
Транзисторы 2Т630А кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т630А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т630В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Ваши предложения просьба направлять на наш электронный адрес.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения, есть ли упаковка, маркировку, состояние и объем партии.