2Т632А

Регулярно приобретаем транзисторы 2Т632А из невостребованных активов, неликвидов.

2Т632А
Транзисторы 2Т632А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор КТ632Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г, в пластмассовом - не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т632А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

Все ваши предложения просим отправлять на электронный адрес.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: год выпуска, условия хранения и производителя.