2Т648А-2

Срочный выкуп транзисторов типа 2Т648А-2 - любое ваше количество из складских неликвидов организаций и промышленных предприятий, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т648А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т648А-2, КТ648А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
2Т648А-2 - две черные точки,
КТ648А-2 - знак ««» черного цвета.
Транзисторы 2Т648А-5, КТ648А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т648А-2 :
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 420 мВт
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (18В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,04 Вт на частоте 12 ГГц

Предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: маркировку деталей, дата выпуска, состояние, объем предлагаемой партии деталей и наличие заводской упаковки.