2Т803А

На постоянной основе покупаем транзисторы типа 2Т803А из неликвидов, невостребованных активов предприятий.

2Т803А
Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т803А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях указывайте: фирму производителя, условия хранения, дата выпуска, маркировку деталей и наличие упаковки у деталей.