2Т825А

Приобретаем транзисторы 2Т825А из производственных остатков промышленного назначения, резервов.

2Т825А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзисторы 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 2,5 г,
кристалла не более 0,025 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (90В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 430...6000
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Все ваши предложения просьба отправлять на email.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения, состояние и маркировку.