2Т831Б

Регулярно приобретаем транзисторы серии 2Т831Б из производственных неликвидов промышленного назначения, невостребованного имущества, сверхнормативных остатков.

2Т831Б
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Корпус:
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами
2Т831В-1, 2Т831Г-1 - бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзисторов:
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г не более 2 г,
2Т831В-1, 2Т831Г-1 - не более 0,03 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т831Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 12 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 2
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Все ваши предложения просьба отправлять по любым нашим контактам.
В ваших предложениях отображайте: условия хранения, производителя, маркировку деталей и состояние.