2Т925Б

На постоянной основе приобретаем транзисторы типа 2Т925Б из складских резервов предприятий и организаций, производственных неликвидов предприятий, невостребованного имущества.

2Т925Б
Транзисторы 2Т925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т925Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 12 мА (36В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 320 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс

Все ваши предложения просьба направлять на наш email.
В своих предложениях, пожалуйста, отображайте: дата выпуска, состояние, маркировку товара и фирму производителя.