2Т979А

На постоянной основе приобретаем транзисторы типа 2Т979А из невостребованного имущества, производственных неликвидов, производственных запасов промышленного назначения.

2Т979А
Транзистор 2Т979А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные LС-звенья на входе и выходе транзистора.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т979А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (50В)
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1,3 ГГц

Ваши предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя транзисторов серии 2Т979А, дата выпуска деталей, маркировку деталей, условия хранения и состояние.