2Т991АС

Выкуп транзисторов типа 2Т991АС - все что у вас есть из производственных остатков промышленного назначения, резервов.

2Т991АС
Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т991АС:
Структура транзистора: n-p-n
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 67 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3,7 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мА (50В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 55 Вт на частоте 0,7 ГГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 6,8 пс

Ваши предложения просим отправлять по любым контактам.
В предложениях отображайте: состояние, есть ли упаковка, условия хранения, фирму производителя товара и год выпуска.