КТ645Б

На постоянной основе приобретаем транзисторы типа КТ645Б из неликвидов промышленного назначения, резервов.

КТ645Б
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ645Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 80
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ

Предложения просьба отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях уточняйте: производителя, объем партии транзисторов, условия хранения и год выпуска.