КТ8101Б

На постоянной основе закупаем транзисторы серии КТ8101Б из невостребованных активов, сверхнормативных остатков.

КТ8101Б
Транзисторы КТ8101Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. ип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ8101Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 150 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 160 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Все ваши предложения просьба отправлять на email.
В ваших предложениях, просим, указывайте: есть ли заводская упаковка, фирму производителя, маркировку, дата выпуска деталей и условия хранения.