КТ829Б

Покупаем транзисторы КТ829Б из неликвидов промышленного назначения, невостребованного имущества промышленного назначения.

КТ829Б
Транзисторы КТ829Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ829Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мА (100В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,57 Ом

Ваши предложения просим отправлять на наш email.
В предложениях, просим, указывайте: состояние изделий, условия хранения, производителя транзисторов и наличие фабричной упаковки.