КТ835Б

Выкупаем транзисторы КТ835Б из невостребованных активов, производственных остатков.

КТ835Б
Транзисторы КТ835Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ835Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА (45В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом

Все ваши предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: количество, производителя и маркировку.