КТ991АС

Приобретаем транзисторы типа КТ991АС из сверхнормативных резервов промышленного назначения, невостребованного имущества.

КТ991АС
Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ991АС:
Структура транзистора: n-p-n
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 67 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3,7 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мА (50В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 55 Вт на частоте 0,7 ГГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 6,8 пс

Предложения просьба направлять на email.
В предложениях, просим, отображайте: состояние, наличие фабричной упаковки и условия хранения товара.