П416Б

Приобретаем транзисторы типа П416Б из сверхнормативных резервов организаций и промышленных предприятий, складских остатков предприятий и организаций, невостребованных активов промышленного назначения.

П416Б
Транзисторы П416, П416А, П416Б германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора П416Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт
fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90... 250
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Все ваши предложения просьба отправлять на электронную почту.
В ваших предложениях, просим, отображайте: маркировку, производителя и состояние.