1НТ251

Выкупаем транзисторы типа 1НТ251 из резервов, невостребованных активов промышленного назначения.

1НТ251
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мА (45В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом

Все ваши предложения просим направлять на наш email.
В предложениях, просим, отображайте: производителя, условия хранения изделий, год выпуска, есть ли упаковка у и маркировку товара.