1Т313Б

Регулярно приобретаем транзисторы типа 1Т313Б из невостребованных активов, производственных резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов промышленного назначения.

1Т313Б
Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т313Б:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц
Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...250 при 5В 5мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Все предложения просим отправлять по контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: количество, есть ли фабричная упаковка у и фирму производителя.