1Т320А

Срочно приобрету транзисторы серии 1Т320А - любое ваше количество из невостребованного имущества организаций и промышленных предприятий, неликвидов промышленного назначения.

1Т320А
Транзисторы 1Т320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т320А:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц
Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 20 В
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...80 при 1В 10мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Все предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: маркировку деталей, количество транзисторов, условия хранения и состояние.