1Т321Е

Приобретаем транзисторы типа 1Т321Е из складских резервов предприятий и организаций, невостребованного имущества.

1Т321Е
Транзисторы 1Т321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т321Е:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 160 мВт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц
Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 30 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА при 45 В
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...200 при 3В, 0,5мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ при 10В
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,5 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс

Все предложения просьба отправлять на наш электронный адрес.
В ваших предложениях, просим, уточняйте: маркировку, год выпуска и условия хранения деталей.