1Т329В

Срочный выкуп транзисторов 1Т329В - ваше количество из резервов промышленного назначения, невостребованных активов, неликвидов.

1Т329В
Транзисторы 1Т329В германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т329В:
Структура: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 990 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

Все предложения просьба отправлять по любым контактам.
В ваших предложениях уточняйте: производителя, состояние, наличие упаковки, условия хранения и год выпуска.