1Т403В

На постоянной основе приобретаем транзисторы 1Т403В из невостребованного имущества, сверхнормативных остатков.

1Т403В
Транзисторы 1Т403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т403В:
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Ваши предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях уточняйте: фирму производителя, дата выпуска, условия хранения и состояние.