2Д503Б

Выкупаем диоды типа 2Д503Б из неликвидов предприятий и организаций, сверхнормативных остатков, невостребованных активов промышленного назначения.

Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В
Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА
fд - Рабочая частота диода: 350 мГц
Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА
Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В
tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс
Сд - Общая емкость: 2,5 пФ

Ваши предложения просьба направлять по любым контактам.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: дата выпуска, производителя и маркировку изделий.