2П302В

Приобретаем транзисторы типа 2П302В из складских остатков промышленного назначения, производственных резервов, производственных неликвидов промышленного назначения.

2П302В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами:
2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г - вариант исполнения 1,
КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ - вариант исполнения 2.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П302В:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 3... 10 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 12 В
Iс нач - Начальный ток стока: не более 33 мА
Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА
S - Крутизна характеристики: 7... 14 мА/В
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ
Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 100 Ом
tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс
tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс

Все ваши предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя, год выпуска и объем партии изделий.