2П313Б

Покупаем транзисторы типа 2П313Б из производственных остатков организаций и промышленных предприятий, складских неликвидов.

2П313Б
Транзисторы 2П313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П313Б:
Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 75 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В
Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
S - Крутизна характеристики: 4,5... 10,5 мА/В (10В 5мА)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,9 пФ
Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 10 дБ на частоте 250 МГц
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7.5 дБ на частоте 250 МГц
fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц

Предложения просим направлять на наш email.
В своих предложениях отображайте: состояние, маркировку изделий, дата выпуска, наличие фабричной упаковки у транзисторов 2П313Б и производителя.