2Т208Б

Выкуплю транзисторы серии 2Т208Б - ваше количество из невостребованных активов, сверхнормативных остатков промышленного назначения.

2Т208Б
Транзисторы 2Т208Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т208Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом

Ваши предложения просьба отправлять на электронную почту.
В ваших предложениях уточняйте: производителя изделий, условия хранения и объем предлагаемой партии.