2Т321Д

Выкупаем транзисторы серии 2Т321Д из производственных резервов, производственных остатков промышленного назначения.

2Т321Д
Транзисторы 2Т321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т321Д:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Ваши предложения просьба отправлять на наш email.
В ваших предложениях, просим, указывайте: есть ли заводская упаковка, производителя, маркировку, количество транзисторов и состояние деталей.