2Т913В

Покупаем транзисторы 2Т913В - любое ваше количество из сверхнормативных запасов организаций, складских резервов организаций, производственных остатков.

2Т913В
Транзисторы 2Т913В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т913В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 900 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (55В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 14 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 1000 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

Все ваши предложения просьба отправлять на email.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: состояние, есть ли упаковка у, маркировку изделий и производителя.