КТ603Б

На постоянной основе приобретаем транзисторы КТ603Б из невостребованного имущества предприятий, неликвидов.

КТ603АБ
Транзисторы КТ603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ603Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом

Предложения просим направлять на электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: год выпуска транзисторов, наличие упаковки у товара, производителя и объем партии.