1Т308В

Приобретем транзисторы типа 1Т308В - все что у вас есть из невостребованных активов промышленных предприятий и организаций, производственных неликвидов.

1Т308В
Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т308В:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц
Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...200 (1В 10мА)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц)
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс

Все ваши предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: год выпуска, маркировку изделий и производителя.