1Т311А

Регулярно выкупаем транзисторы типа 1Т311А из резервов промышленного назначения, складских остатков.

1Т311А
Транзисторы 1Т311А германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т311А:
Структура: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 300 МГц
Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В
Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...80 при 3В 5мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Все предложения просим отправлять по любым контактам.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: состояние, объем предлагаемой партии и год выпуска.